碳化硅MOSFET和IGBT都是功率器件，但它们具有不同的特性。碳化硅MOSFET具有更高的开关速度、更低的导通电阻、更高的耐压和更高的结温，因此在高频、高压和高功率应用中具有优势。IGBT具有更高的可靠性和更高的抗短路能力，因此在一些特殊应用中仍具有优势。
从目前来看，碳化硅MOSFET在以下应用中已经开始取代IGBT：
电动汽车：碳化硅MOSFET可以显著提高电动汽车的效率和续航里程，因此在电动汽车的牵引逆变器中得到了广泛应用。
光伏发电：碳化硅MOSFET可以提高光伏发电系统的效率和功率密度，因此在光伏逆变器中得到了广泛应用。
轨道交通：碳化硅MOSFET可以提高轨道交通系统的效率和可靠性，因此在轨道交通的变流器中得到了广泛应用。
随着碳化硅MOSFET技术的不断发展和成本的不断降低，碳化硅MOSFET将在更多的应用中取代IGBT。
具体来说，碳化硅MOSFET在以下方面具有优势：
开关速度：碳化硅MOSFET的开关速度是IGBT的2-3倍，这意味着碳化硅MOSFET可以实现更高的开关频率，从而降低功率损耗。
导通电阻：碳化硅MOSFET的导通电阻是IGBT的1/3左右，这意味着碳化硅MOSFET可以降低功耗。
耐压：碳化硅MOSFET的耐压可以达到IGBT的2-3倍，这意味着碳化硅MOSFET可以应用于更高电压的场合。
结温：碳化硅MOSFET的结温可以达到IGBT的2倍以上，这意味着碳化硅MOSFET可以应用于更高温度的场合。
当然，碳化硅MOSFET也存在一些不足，例如：
成本：碳化硅MOSFET的成本目前仍高于IGBT。
可靠性：碳化硅MOSFET的可靠性与IGBT相比仍存在一定差距。
随着技术的不断发展和成本的不断降低，碳化硅MOSFET的优势将更加明显，取代IGBT的趋势将更加明显。
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倾佳电子专业分销基本™隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门极驱动芯片，输出拉灌峰值电流典型值4A/6A，绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装；抗干扰能力强，高达100V/ns；低传输延时至45ns；分别提供 3 种管脚配置：BTD21520M提供禁用管脚（DIS）和死区设置（DT）,BTD21520S提供禁用管脚（DIS)， BTD21520E 提供单一PWM输入；副边VDD欠压保护点两种可选：分别是5.7V和8.2V。主要规格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，BTD21520MAPR，BTD21520MBPR，BTD21520SAPR，BTD21520SBPR，BTD21520EAPR，BTD21520EBPR，BTD5350xx是一款单通道隔离门极驱动IC，输出峰值电流典型值10A, 绝缘电压高达5000Vrms@SOW8封装，3000Vrms@SOP8封装；抗干扰能力强，高达100V/ns；传输延时低至60ns；分别提供 3 种管脚配置：BTD5350M 提供门极米勒钳位功能，BTD5350S 提供独立的开通和关断输出管脚，BTD5350E 对副边的正电源配置欠压保护功能；副边VCC欠压保护点两种可选：分别是8V和11V。主要规格有BTD5350MBPR，BTD5350MCPR，BTD5350MBWR，BTD5350MCWR，BTD5350SBPR，BTD5350SCPR，BTD5350SBWR，BTD5350SCWR，BTD5350EBPR，BTD5350ECPR，BTD5350EBWR，BTD5350ECWR，BTD3011R是一款单通道智能隔离门极驱动芯片，采用磁隔离技术；绝缘电压高达5000Vrms@SOW16封装；输出峰值电流典型值15A；管脚功能集成功率器件短路保护和短路保护后软关断功能，集成原副边电源欠压保护；集成副边电源稳压器功能，此稳压器可以根据副边电源输入电压，使驱动管脚自动分配正负压，适用在给电压等级1200V以内的IGBT或者碳化硅 MOSFET驱动。BTL2752x 系列是一款双通道、高速、低边门极驱动器，输出侧采用轨到轨方式；拉电流与灌电流能力可高达 5A，上升和下降时间低至 7ns 与 6ns；芯片的两个通道可并联使用，以增强驱动电流能力；信号输入脚最大可抗-5V的持续负压，支持4个标准逻辑选项：BTL27523带使能双路反相，BTL27523B不带使能双路反相 和 BTL27524带使能双路同相，BTL27524B不带使能双路同相。主要规格：BTL27523R，BTL27523BR，BTL27524R，BTL27524BR
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汽车级全碳化硅功率模块是BASiC基本™为新能源汽车主逆变器应用需求而研发推出的系列MOSFET功率模块产品，包括Pcore™6汽车级HPD模块、Pcore™2汽车级DCM模块、Pcore™1汽车级TPAK模块、Pcore™2汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等BASiC基本™最新的碳化硅 MOSFET 设计生产工艺，综合性能达到国际先进水平，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。主要产品规格有：BMS800R12HWC4_B02，BMS600R12HWC4_B01，BMS950R12HWC4_B02，BMS700R12HWC4_B01，BMS800R12HLWC4_B02，BMS600R12HLWC4_B01，BMS950R12HLWC4_B02，BMS700R12HLWC4_B01，BMF800R12FC4，BMF600R12FC4，BMF950R08FC4，BMF700R08FC4，BMZ200R12TC4，BMZ250R08TC4
倾佳电子专业分销BASiC基本™碳化硅(SiC)MOSFET专用双通道隔离驱动芯片BTD25350，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，为碳化硅功率器件SiC MOSFET驱动而优化。
BTD25350适用于以下碳化硅功率器件应用场景：
充电桩中后级LLC用SiC MOSFET 方案
光伏储能BUCK-BOOST中SiC MOSFET方案
高频APF，用两电平的三相全桥SiC MOSFET方案
空调压缩机三相全桥SiC MOSFET方案
OBC后级LLC中的SIC MOSFET方案
服务器交流侧图腾柱PFC高频臂GaN或者SiC方案
倾佳电子专业分销的BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET两大主要特色：
1.出类拔萃的可靠性：相对竞品较为充足的设计余量来确保大规模制造时的器件可靠性。
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 1200V系列击穿电压BV值实测在1700V左右，高于市面主流竞品，击穿电压BV设计余量可以抵御碳化硅衬底外延材料及晶圆流片制程的摆动，能够确保大批量制造时的器件可靠性，这是BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET最关键的品质.
2.可圈可点的器件性能：同规格较小的Crss带来出色的开关性能。
BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET反向传输电容Crss 在市面主流竞品中是比较小的，带来关断损耗Eoff也是市面主流产品中非常出色的，优于部分海外竞品，特别适用于LLC应用.
Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。BASiC基本™第二代SiC碳化硅MOSFET 优于主流竞品。
Crss：反向传输电容（Crss＝Cgd） ⇒栅极-漏极电容：Crss越小，漏极电流上升特性越好，这有利于MOSFET的损耗，在开关过程中对切换时间起决定作用，高速驱动需要低Crss。
Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds）⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
倾佳电子专业分销的基本™B2M第二代碳化硅MOSFET器件主要特色：
• 比导通电阻降低40%左右
• Qg降低了60%左右
• 开关损耗降低了约30%
• 降低Coss参数，更适合软开关
• 降低Crss，及提高Ciss/Crss比值,降低器件在串扰行为下误导通风险
• 最大工作结温175℃• HTRB、 HTGB+、 HTGB-可靠性按结温Tj=175℃通过测试
• 优化栅氧工艺，提高可靠性
• 高可靠性钝化工艺
• 优化终端环设计，降低高温漏电流
• AEC-Q101
碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能，是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高功率回路开关频率，提升系统效率及功率密度，降低系统综合成本。适用于高性能变换器电路与数字化先进控制、高效率 DC/DC 拓扑与控制，双向 AC/DC、电动汽车车载充电机（OBC）/双向OBC、车载电源、集成化 OBC ，双向 DC/DC、多端口 DC/DC 拓扑与控制，直流配网的电力电子变换器。SiC MOSFET越来越多地用于高压电源转换器，因为它们可以满足这些应用对尺寸、重量和/或效率的严格要求.
